Uma das divisões da Samsung, a Samsung LSI, fez história no último dia 25 de julho. Ela realizou uma cerimônia especial para apresentar os primeiros chips de 3 nm do mundo, superando a TSMC na adoção desses transistores.
O evento reuniu até mesmo representantes de outras companhias coreanas do ramo de semicondutores e ainda contou com o ministro do comércio, indústria e energia do país, Changyang Lee, que parabenizou a empresa, incentivando a união das gigantes de tecnologia.

Os novos chips da Samsung

Os novos chips 3 nm da Samsung são equipados com um novo tipo de transistor, o GAAFET, já pesquisado há décadas pela empresa e considerado tecnologia sucessora dos FinFET. Para se ter uma ideia do potencial disso, a Intel e a TSMC possuem planos de empregar os mesmos transistores nos processos, Intel 20A e N2, de 2 nm.

Agora, os especialistas garantem que os chips 3 nm são até mais eficientes que os de 5 nm. Eles podem ser produzidos em formatos de nanofios ou nanofolhas de metal, recobertos pelos portões por todos os lados, podendo ser customizados - aumentando ou reduzindo sua largura, possivelmente tendo o desempenho e eficiência turbinadas.

Planos para o futuro da empresa.

Com esse novo produto, a Samsung promete que conseguirá reduzir em 45% no consumo de energia, também ganhos de até 23% em desempenho e diminuição de 16% em área comparado ao seu próprio processo de 5 nm. Mas é possível que a empresa tenha planos ainda mais ambiciosos para a expansão da tecnologia. Por exemplo, levar os GAAFET a chipsets para smartphones.

Enquanto isso, a empresa pretende abrir uma nova linha de fabricação no campus da cidade de Pyeongtaek. E a expectativa para o próximo processador é para a linha Galaxy, abrindo precedentes para que a Qualcomm, uma das maiores clientes da Samsung LSI, utilize a tecnologia em futuros chips da família Snapdragon.

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Fontes: CanalTech.

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Eduardo Mikail

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